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目录

1. 第一篇电子工程论文范文参考：电子政务安全工程若干关键技术研究
2. 第二篇电子工程论文样文：硅谷模式及其产学创新体制
3. 第三篇电子工程论文范文模板：大容量电力电子分布式控制系统关键技术研究
4. 第四篇电子工程论文范例：CGTR项目系统分析与管理方法研究
5. 第五篇电子工程论文范文格式：基于半导体能带工程的高效可见光催化剂的结构设计及性能研究

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第一篇电子工程论文范文参考：电子政务安全工程若干关键技术研究

电子政务是国家政府机关利用现代信息技术,将管理与服务通过信息化集成,在网络上实现政府组织结构和工作流程的优化重组,超越时间、空间与部门分割的限制,全方位地向社会提供优质、高效、规范、透明的管理和服务.网络信息安全作为国家安全的重要内容,是制约电子政务建设中的关键性问题之一.我国电子政务安全工程建设虽然已经建立起一套可供参考的技术规范体系,但面对日新月异的信息技术发展,仍然存在一些关键问题需要解决,比如,传统信息安全基础设施的瓶颈定位与突破,在安全基础设施中引入基于身份*学及其安全性评估,复杂多域环境下的安全应用集成,应用系统中的公平责任认定,基于协议的密钥恢复机制,基于SSL/TLS的应用系统的安全认证技术等.

本文深入地研究了电子政务安全工程中突出的几个关键技术,包括PKI/PMI撤销管理优化技术、基于身份的公钥基础设施、复杂域环境联合身份管理、电子交易公平防抵赖、网络层基于协议的密钥恢复方案、传输层的基于协议密钥恢复方案以及中间人攻击与防护方案.具体地讲,本文成果包括以下几个方面：

1、分析传统公钥基础设施PKI/授权管理基础设施PMI在应用中存在的瓶颈,针对撤销管理问题,提出了面向分布式环境的D-OCSP服务模式与简明在线证书状态协议S-OCSP国标草案.前者采用离线*学的思想,通过将秘密信息从处于在线状态的RTC应答器中抽取出来,置于处于离线状态的RTCA服务器中,由RTCA针对CA所签发的所有证书的状态列表产生OCSP应答证据集合,并发布给RTC应答器,供其在处理依赖方OCSP请求时使用,从根本上解决了",Trusted OCSP",在可扩展性、可用性、安全性方面存在的问题.后者作为标准OCSP的补充,旨在解决特定环境下数字证书状态查询的性能问题.实验证明S-OCSP协议具备明显优于标准OCSP协议的性能,显著降低应用服务器证书撤销检查的开销.

2、研究基于身份的PKI,对其进行安全性评估,与传统PKI进行对比分析,包括系统公共参数可信分发、私钥安全签发、密钥托管、多域支持、与传统PKI集成等方面.面向内容分发系统的实际安全需求,采用基于身份PKI提出了一种新的面向群组的安全内容分发方案,满足接收方访问控制、发送方鉴别与防抵赖、策略加密等安全要求,将发送方的计算和通信代价降为O(1),同时具有密钥管理简单、计算和通信代价低、易于实现等特点,能方便地应用于商业的组播内容分发系统.

3.、针对基于面向服务架构的虚拟组织中存在的服务联合安全问题,对跨域服务联合的关键安全需求进行分析,研究现有联合身份管理技术,提出跨域服务联合安全框架,通过一个实例清晰阐述跨域服务联合中的安全功能,包括信任拓扑管理、联合登录/退出、基于属性的访问控制、委托授权等和隐私保护等.最后探讨了不同联合身份管理机制的互操作问题.

4、提出面向传统B/S架构Web应用的公平防抵赖协议与面向Web服务应用环境的公平防抵赖协议,二者均是基于Online-TTP模式.前者能将公平防抵赖功能嵌入到一次HTTP请求与应答交互中,后者能嵌入到一次Web服务调用实现中.均采用证据链接思想减轻了证书撤销检查和签名时间戳生成的开销,从而整体上提高证据验证和管理的效率.协议具备强公平性、及时性、高效和实用性强等特点.

5、对基于协议的密钥恢复机制进行分析,探讨了应用基于身份加密算法的优缺点；给出IPSec密钥恢复机制的设计与实现,针对预共享密钥/签名认证/公钥加密/改进型公钥加密四种认证方式,以及主模式和野蛮模式所涉及的各种情况,给出密钥恢复实现机制,并分析前向安全性和IKEv2的适用性,通过实验证实在采用自动密钥协商的IPSec通信中嵌入密钥恢复是容易的,并同样可以满足不可过滤、可与标准协议实现互操作、实时密钥恢复要求.

6、在对SSL/TLS协议与SSLVPN国标进行安全性分析的基础上,给出基于协议的SSL/TLS密钥恢复方案,分析其实用性；提出一种基于*实现的SSL/TLS中间人攻击方案,分析其安全威胁,给出安全增强建议,并研究会话感知的SSL/TLS中间人攻击防护方案；从正面角度分析其在内容安全过滤、防基于协议的密钥恢复、协议*方面的应用.提出集成化的会话感知S-ZTIC解决方案,同时抵御中间人攻击与恶意软件攻击.

第二篇电子工程论文样文：硅谷模式及其产学创新体制

在知识经济时代,高技术及其产业已成为国际竞争的有力杠杆.各个国家都想在世界高技术产业化领域占据领先地位,因此技术创新成为一个重要话题.但要使一个国家确立其高技术产业优势,仅仅依靠一两项尖端技术创新成就是不行的,重要的是建立某种有助于技术创新持续进行的社会体制.

美国的硅谷是一个高技术产业创新的典型区域,它不仅为美国的“新经济”作出了娇人的贡献,而且也以其独特的区域创新体制成为各国政策研究者关注的焦点.尽管硅谷的高技术产业已经由计算机产业延伸到互联网和生物技术产业,历经了几代技术创新和产业升级,而且从60、70年*始在世界范围内掀起了硅谷复制的阵阵*热潮,在世界各地建立了各种形态的高科技园区,但是对硅谷的学术研究才刚刚开始,目前还没有充分的理论和经验数据来解释它成功的奥秘.为此,本论文尝试就这方面做一些探索.本论文主要从技术创新体制构建的角度来研究和思考硅谷现象和硅谷模式,以期找出技术创新可持续实现的一种有效体制.对硅谷做这样一种思考,不仅有助于我们发现高科技时代产业实现的社会形式,认识高技术产业创新的基本规律,而且也可能为各个地区和国家提供一种促进高技术产业创新的政策依据.由于硅谷提供了知识经济赖以孕生的技术动力,形成了一种有益于知识经济成长的社会组织形式,因此,对硅谷的研究还可能为知识经济的健康成长探索出一种有效的社会体制.

本论文的研究有两个基点:问题意识和整体思维.问题意识要求作者对已有的种种研究和思考做批判性地反省,并对中国在建设高技术产业区和推进技术创新方面存在的不足做理性思考,整体性思维则要求作者把整个硅谷的创新活动进程纳入一个系统中来考察,用一种机体论的观点来考察硅谷所发生的一切.

为此,论文关注的主要问题是,硅谷的一切是如何发生的它对中国的高技术产业创新有什么启示更具体一点说,它是在怎么样的体制中以一种怎么样的方式进行的知识创新如何引发技术创新,技术创新又如何导致产业创新知识创新、技术创新和产业创新如何链接成一个可持续的创新体制,进而使硅谷形成以研究型大学和高技术创始公司为核心的产学创新集群中国如何才能建立类似的产学创新体制以使其高技术产业创新得以持续加速地发展

本论文共分为六章,共约17万字.其主要内容概括如下.

第一章、硅谷模式及其变体.

特曼最初的设想是在斯坦福大学与地方高技术公司之间建立一种互动交流、合作共荣的体制,以使斯坦福大学更多地服务于地方产业的发展,并因此使斯坦福大学成为一个高技术研究和开发的中心.特曼的这些设想通过他在斯坦福大学及其电子工程系的一系列努力取得了巨大的成功.从20世纪40、50年*始,斯坦福相继推出了三项机构和体制创新措施来促成这一设想的实施.第一项创新是创立斯坦福研究院,其宗旨是主持和管理政府资助的研究项目、帮助西海岸的高技术公司争取政府订单.第二项创新是通过设立荣誉合作项目为当地的公司打开工程技术教育的大门,以便公司的雇员能够注册学习研究生

第三篇电子工程论文范文模板：大容量电力电子分布式控制系统关键技术研究

随着电力电子器件技术、信息和控制技术的日益进步,智能化、模块化、中高压、大容量、高功率密度、高可维护性和高可靠性是现代电力电子变流技术的一个重要发展方向.对于我国未来的航母与大型舰船来说,电力推进系统、大容量区域配电系统、高能武器系统等分系统中大都包含有大容量或超大容量(MW级到数百MW级)的电力电子变流装置,然而在这些变流装置中,由于功率开关器件、控制变量以及反馈变量等的数目都非常多,若采用传统的集中式控制架构和控制方式,会使得系统不具备模块化功能,电磁自兼容性较差,通用性差,难以对控制系统进行重新配置,且大量的点对点通讯和内部的连接线,直接导致了系统的可靠性和可维护性差,控制系统和通信结构会变得更加复杂,不利于电力电子变流器系统的模块化、分布式、可靠性、可维护性和智能化程度的改善,因此在该方面存在一些关键技术问题迫切需要解决.本文以24MV*十五相推进变频器为主要研究对象,分析和研究一种高速光纤环网通信的变流器分布式控制系统,主要对这种基于高速光纤环网通信的十五相推进变频器分布式控制系统的相关关键技术问题进行研究.

根据十五相推进变频器的空间分布特性,对变频器的功率级和控制级进行了模块划分,并建立了一种基于传统高速光纤环网通信的十五相推进变频器分布式控制系统.对这种环网通信用硬件控制器的功能进行了详细的分析与设计,并根据十五相推进变频器的工作特点,制定了一种适用于这种高速光纤环网通信的通信协议.

针对传统高速光纤环网存在着固有的网络延时问题,详细分析了环网通信拓扑中单桥臂网络延时和串行桥臂网络延时对输出电压谐波的影响,仿真结果验证了理论推导的正确性,为解决环网通信分布式拓扑结构中的同步问题提供了理论依据.根据传统高速光纤环网通信的特点,提出了一种系统同步延时自动测量和补偿的方法,可以根据各节点之间光纤线长度的不同,自动计算出系统数据和命令信息通过每个节点的处理延时,通用性高,且通信协议和软件编程简单,并通过实验验证了该方法的正确性和可行性.

针对传统高速光纤环网通信中网络延时较大,网络数据需要经过每一从节点的转发,且其已有的同步方法存在着同步延时和误差积累的问题,本文提出了一种新颖的可切换式高速光纤环网通信拓扑结构,分析了这种拓扑结构的工作模式和同步延时模型,并提出了一种适用于该种网络拓扑的高性能同步方法,其同步精度可达到8ns,且不存在有同步误差积累的问题.

针对已有SPWM(正弦脉冲宽度调制)逆变器中的窄脉冲补偿技术会影响电机起动和低速性能,增加电机的转矩脉动,本文提出了一种SPWM调制方式下的适用于分布式控制系统的基于零序偏置量注入的三电平窄脉冲补偿方法,可以有效的提高电机的低速性能和减小电机的转矩脉动.此外,经试验研究发现,在变流器的某种工况下,死区时间的引入造成了IGBT的开通和关断时间拉长的现象.本文对这种现象的产生机理进行了详细的理论分析与试验验证,可为电力电子工程研究人员对电力电子变流器系统死区补偿的研究提供参考,同时也为日益发展的有源门极驱动技术提供了理论依据.

最后,将本文研究的相关技术应用到十五相推进变频器分布式控制系统中,对这种基于传统高速光纤环网通信的分布式控制系统的数据通信和基本功能进行了试验验证.试验结果表明了这种十五相推进变频器分布式控制系统的正确性,同时也反映了本文所研究的相关技术的正确性和可行性.

第四篇电子工程论文范例：CGTR项目系统分析与管理方法研究

CGTR项目是中欧合作伽利略计划的重要组成部分.本文首先对CGTR项目的选题背景和研究意义进行了简要分析,给出了本文研究的必要性和意义.在对国内外相关系统工程管理发展状况分析的基础上,从系统工程角度对CGTR项目进行了系统分析,给出了CGTR项目系统特点和管理需求.

CGTR项目作为中欧合作的大型复杂电子系统工程,项目管理过程中体现出子系统多,技术复杂,研发协作单位多,评价标准不一致,管理复杂,研制周期长、不可预见因素多,项目风险大等特点.欧空局对系统工程过程管理的标准与我国研究所建立在国防系统工程实践基础上的管理方法的冲突构成了CGTR项目管理的矛盾点.本文用系统工程的方法,结合CGTR项目管理实践,创造性的提出了人、财、物为要素,以组织管理、技术管理、财务管理、风险管理为内容,以系统工程物化过程中人才流、物资流、资金流的流动、转化和不确定因素为对象,对复杂系统项目管理的方法.

在CGTR项目组织管理方面,通过构建多层次的组织体系为项目提供了平台和人力资源保障,在技术管理方面,融合了欧空局项目管理标准和我国系统工程管理的经验,建立了项目总设计师为主导,以关键技术控制为核心,以质量管理为主线的系统工程过程管理体系,在财务管理方面,建立了以全面预算为主线,费用管理为中心的财务评价和报告体系,为不同制度与背景的国际厂商合作提供了统一的项目评价方法,在风险管理方面,通过分析项目特点,结合国内系统工程管理实践,提出了一套国际合作背景条件下复杂系统工程风险识别、评估、监控、应对的风险管理方法.CGTR项目不仅是高新技术密集的研发项目,更是管理体系与管理方法创新的系统工程.

本文通过CGTR项目管理的分析与总结,对具有国际合作背景条件下大型复杂电子系统工程项目管理方法作了有益的探索.CGTR项目管理模式丰富了对复杂电子系统工程的管理经验,极大的提升了项目的管理水平.

第五篇电子工程论文范文格式：基于半导体能带工程的高效可见光催化剂的结构设计及性能研究

环境问题和能源问题是21世纪人类可持续发展面临的两大挑战.能利用洁净太阳能资源的半导体光催化技术成为应对这两大挑战的重要手段之一.本论文针对半导体光催化技术实际研究中存在的问题,以半导体能带工程为指导思想,以设计及合成高效可见光催化材料为研究目标,采用理论和实验相结合的研究手段,一方面利用共掺杂对间的电荷补偿效应对宽禁带半导体光催化材料进行改性修饰,探索共掺杂对宽禁带半导体材料能带结构剪裁的微观机制,揭示共掺杂原子种类、掺杂形式及光催化活性间的构效关系；另一方面,通过两种半导体材料的复合构筑异质结光催化材料,揭示界面相互作用及界面光生载流子迁移的微观机制,探讨有效异质界面及分离后的光生电子和空穴的迁移对材料光催化活性的影响,为新型高效可见光催化材料的设计及合成提供理论指导.主要研究内容及结果如下：

第一章绪论介绍了半导体光催化技术的发展及研究现状,及以半导体能带工程中带隙图形工程为指导思想的掺杂改性手段和以半导体能带工程中的能带结构工程为指导思想的构筑异质结手段在改善半导体光催化材料活性及探索新型可见光催化材料中的应用,提出从微观层面上揭示共掺杂原子种类、掺杂形式与光催化活性间的构效关系,以及异质界面相互作用及界面光生载流子迁移机制,探索有效异质界面及分离后光生电子和空穴迁移对异质结光催化材料活性的影响,并简要介绍了本论文的研究内容.

第二章简要介绍了密度泛函理论的基本理论方法及其发展和应用,以交换相关能量泛函的发展为主线,介绍了局域密度近似、广义梯度近似等泛函形式以及自洽场计算流程,并在此基础上,介绍了本论文使用的计算软件包.

上篇中包含第三章、第四章和第五章三章研究内容.本部分以半导体能带工程中的带隙图形工程为指导思想,通过两种或两种以上的共掺杂异质原子间的电荷补偿效应钝化体系带隙中因单一掺杂引起的半充满杂质态,在减小半导体带隙的同时,消除因掺杂产生的电子-空穴复合中心,从而提高半导体材料的可见光催化活性.

第三章中,我们采用密度泛函理论计算的方法,研究了C、N和F单一掺杂和两两共掺杂ZnW04体块的几何结构、电子结构及光活性.虽然单一掺杂能在一定程度上减小体系的电子激发能,但是同时会在体系的带隙中引入半充满的杂质态,这些杂质态会成为光生电子-空穴对的复合中心,不利于光催化活性的提升.基于缺陷波函数特征的分析,我们设计了Cs+2Fs、Ns+Fs、Ci+2Ns和Ni+Fs四种共掺杂对,利用施主-受主对间的电荷补偿效应钝化带隙中由单一掺杂引起的半充满杂质态,同时还能减小ZnWO4共掺杂体系的形成能.这四种共掺杂对均在一定程度上减小了ZnWO4体系的电子激发能,其中Ci+2NS和Ni+Fs共掺杂成功将ZnWO4的光吸收边红移至可见光区.

第四章中,我们采用密度泛函理论计算的方法,研究了N和F单一掺杂以及N,F)共掺杂ZnWO4(010)表面的电子性质.N和F的单一掺杂并不能满足体系吸收边红移的需求,并且会在带隙中引入半充满的杂质态,形成光生电子-空穴对的复合中心.N,F)共掺杂ZnW04(010)表面的电子结构显示,N-F共掺杂对间的协同效应会钝化体系中因单一掺杂引起的半充满杂质态,但是,不同的共掺杂形式对应着不同的电荷补偿机制,对体系光活性的影响也不同.四种共掺杂形式对应的电荷补偿机制分别为：在NsFs共掺杂ZnWO4(010)表面中,单施主Fs形成的W5d',态上的电子钝化单受主Ns上的空穴；在NadFs共掺杂ZnWO4(010)表面中,单施主Fs形成的W5d',态上的电子钝化NadOb π*反键轨道上的空穴；在NsFad共掺杂ZnWO4(010)表面中,Ns-Ob作为单施主,其σ*反键上的电子迁移至Fad,填充Fad2p轨道；在NadFad共掺杂表面中,Fad作为单受主从Nad-Ob π*反键轨道上捕获电子填充其2p轨道.这四种共掺杂形式均能减小ZnWO4(010)表面的电子激发能,其中NadFs和NadFad共掺杂能将ZnWO4(010)表面的光吸收边红移至可见光区.但是由于NadFad共掺杂表面中的电子仅在Nad-Ob π*反键轨道间迁移,这使得其对改善ZnWO4(010)表面光催化活性的实际意义不大.

第五章中,我们采用密度泛函理论计算的方法,研究了锐钛矿相TiO2(101)表面的掺杂La、取代掺杂N与一个氧空位之间的相互作用.计算结果显示,La吸附掺杂和取代掺杂的Ti02(101)表面都是实验上可能存在的缺陷构型.La在h-Cave位点的吸附掺杂能促进N的取代掺杂,反之亦然,然而电荷补偿效应在吸附掺杂La与取代掺杂N之间并未生效,这导致在带隙中引入半充满的杂质态.取代Ti5c的La掺杂能促进N的取代掺杂,且La和N的取代共掺杂会促进氧空位的形成,所形成的氧空位从内层Osb-3c位点迁移至表面Ob位点.在La和N分别取代Ti5c和O3c-down的共掺杂表面,取代La和取代N间的电荷补偿在带隙中形成两条孤立的占据Ns-O π*反键杂质能级.进一步考虑在该共掺杂表面上有氧空位存在的情况,氧空位作为双施主,取代La和取代N分别作为单受主,形成受主-施主-受主补偿对,双施主能级的两个电子分别钝化两个单受主能级上的空穴,形成与价带连续的占据态,使得体系带隙减小了0.17eV,与实验测试的数据吻合,这为实验上La/N共掺杂锐钛矿相Ti02增强其可见光催化活性提供了一个合理的微观机制解释.

下篇中包含第六章、第七章和第八章三章研究内容.本部分以半导体能带工程中的能带结构工程为指导思想,基于晶格匹配和能带匹配原理,将窄带隙半导体与宽禁带半导体复合构筑异质结材料,利用窄带隙半导体吸收可见光,同时利用两半导体间的能带势差促进光生电子-空穴对的分离,从而获得高效的可见光催化材料.

第六章中,我们采用理论与实验相结合的方法,系统研究了g-C3N4/ZnWO4异质结中的界面相互作用、电荷迁移及分离的微观机制,以及其对体系光催化活性的影响.高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和密度泛函理论(DFT),计算的结果相互验证,表明体系中g-C3N4(001)/ZnWO4(010)和g-C3N4(001)/ZnWO4(011)界面存在的合理性.g-C3N4/ZnWO4异质结可见光下降解*蓝的活性优于纯相g-C3N4和ZnWO4.此外,与纯相g-C3N4对苯酚微弱的氧化能力相比,异质结对苯酚的氧化能力明显增强,表明g-C3N4和ZnWO4间存在协同效应.在可见光照射下,g-C3N4/ZnWO4异质结的电子微观迁移路径为,异质结价带顶的电子直接由g-C3N4跃迁至ZnWO4导带底的W5d轨道,从而实现光生电子和空穴的分离.

第七章中,我们通过调控两种单体材料在同一分散溶液中的表面电荷,利用带相反电荷的颗粒间的静电吸引力,设计并制备了具有高有效异质界面率的高效g-C3N4/Zn2GeO4异质结光催化材料.单体材料带相反表面电荷(OSC)的g-C3N4/Zn2GeO4异质结在可见光下对亚*蓝的降解活性优于纯g-C3N4、纯Zn2Ge04和单体材料带相同表面电荷(ISC)的g-C3N4/Zn2Ge04异质结.所制备样品的光吸收、吸附能力和光电流响应的测试结果表明,OSC g-C3N4/Zn2Ge04异质结光催化材料的高活性主要是由于其有效异质界面率高,能显著提高光生电子-空穴对的分离率.我们的理论计算揭示了g-C3N4/Zn2Ge04异质结可见光下的电子微观迁移路径：g-C3N4的N2p态上的电子受激发直接跃迁至Zn2Ge04的Zn4s和Ge4s杂化轨道上.

第八章中,我们通过异质结纳米结构构筑与晶面工程相结合的方法,设计并合成了两种不同界面组成的BiOI/BiOCl异质结光催化剂,分别为BiOI(001)/BiOCl(001)和BiOI(001)/BiOCl(010)异质结.BiOI(001/BiOCl(001)和BiOI(001/BiOCl(010)异质结的可见光催化活性均高于BiOCl和BiOI单体材料.这是由于形成异质结能显著减弱光生载流子复合,提高光生载流子的分离效率.虽然BiOI(001)/BiOCl(001)具有更高的晶格匹配度,但是BiOI(001/BiOCl(010)的可见光催化活性优于BiOI(001)/BiOCl(001).由于BiOI(001)/BiOCl(001)和BiOI(001)/BiOCl(010)异质结的能带匹配情况相似,所以二者的ηsep相同.然而,因为BiOCl的自发内电场平行于BiOI(001)/BiOCl(010)异质结,优化了分离后的光生电子的迁移路径,从而使得BiOI(001)/BiOCl(010)异质结的ηinj高于BiOI(001)/BiOCl(001)异质结.这是BiOI(001)/BiOCl(010)异质结具有更优可见光催化活性的主要原因.

第九章对本论文进行了总结,归纳了创新点,并对今后拟开展的研究工作进行了展望.

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