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三星和闪存芯片毕业论文的格式范文 三星和闪存芯片方面硕士毕业论文范文2000字有关写作资料

主题:三星和闪存芯片 下载地址:论文doc下载 原创作者:原创作者未知 评分:9.0分 更新时间: 2024-03-14

三星和闪存芯片论文范文

《三星将增NAND闪存芯片生产线》

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6月1日三星電子宣布,将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)NAND闪存芯片生产能力,以押注未来对个人计算机和服务器的需求.三星计划在明年下半年大规模生产该芯片,该生产线位于韩国平泽市,距离韩国首都首尔有两个小时的车程.

三星方面表示,该额外容量也将有助于满足对5G智能手机和其他设备的需求,尽管最近由于健康危机其推迟了在欧洲和其他国家部署5G网络的步伐.三星方面没有透露具体投资金额.分析师预计,投资范围将在7万亿韩元(约合57亿美元)至8万亿韩元(约合65亿美元)之间.而据韩国时报(Korea Times)报道,将花费8.5万亿韩元(约合69亿美元).此外,三星还将在中国西安工厂增设第二条生产线,该生产线计划于明年上半年投产.

韩国贸易部近期公告显示,由于在家工作趋势和在线课程推动了对服务器和个人电脑的需求,韩国5月份的芯片出口较上年同期增长7.1%,与此同时,中国个人电脑制造商恢复了生产,也推高了芯片.业内分析师表示:“数据服务器客户可能会继续投资以增强其基础架构,以满足客户增加的在线活动带来的需求.”

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